1、non-volatile

non-volatile發(fā)音

英：　　美：

non-volatile中文意思翻譯

常用釋義：非易失性的

adj.（計(jì)算機(jī)內(nèi)存）非易失性的；非揮發(fā)性的

non-volatile常用詞組：

nonvolatile memory───非易失存儲(chǔ)器

non-volatile雙語(yǔ)使用場(chǎng)景

1、One example embodiment relates to a non-non-volatile semiconductor memory and manufacturing method thereof.───示例實(shí)施例涉及一種非易失性半導(dǎo)體存儲(chǔ)裝置及其制造方法。

2、The invention relates to a manufacturing method of an isolation structure, which is suitable for the process of a non-volatile memory.───本發(fā)明提供一種隔離結(jié)構(gòu)的制造方法，適用于非易失性存儲(chǔ)器的工藝中。

3、Non-Volatile Random-Access Memory.───非易失的隨機(jī)訪問(wèn)存儲(chǔ)器。

4、It then saves three non-volatile registers that will be used for the main control of the program.───然后保存3個(gè)用于進(jìn)行程序的主要控制的非易失性寄存器。

5、To fully understand what the volatile keyword does, it's first helpful to understand how threads treat non-volatile variables.───要完全理解volatile關(guān)鍵字的作用，首先應(yīng)當(dāng)理解線程如何處理非易失性變量。

6、The non-volatile fields are cr2, cr3, and cr4.───非易失性域有 cr2、cr3 和 cr4。

7、The first part of the stack frame is the non-volatile register save area.───堆棧幀的第一個(gè)部分是非易失性寄存器保存區(qū)。

8、A non-volatile memory cell operating at low voltage by means of impact ionization for programming.───一種可于低壓工作的非易失性存儲(chǔ)單元，其通過(guò)碰撞電離進(jìn)行編程。

9、The invention discloses a conduction structure, a non-volatile memory device including the conduction structure and a manufacturing method.───本發(fā)明公開(kāi)提供了導(dǎo)電結(jié)構(gòu)、包括導(dǎo)電結(jié)構(gòu)的非易失性存儲(chǔ)器件及其制造方法。

non-volatile相似詞語(yǔ)短語(yǔ)

1、sal volatile───[無(wú)化]碳酸銨；揮發(fā)鹽

2、sal volatiles───[無(wú)化]碳酸銨；揮發(fā)鹽

3、nonevaluative───非評(píng)價(jià)性

4、nonrelative───非相對(duì)的

5、nonmotile───adj.無(wú)運(yùn)動(dòng)的；不動(dòng)的

6、nonhostile───非敵對(duì)

7、nonvolatile───adj.非易失性的；非揮發(fā)性的

8、to volatilize───揮發(fā)

9、to volatilise───揮發(fā)

2、【非易失性半導(dǎo)體存儲(chǔ)器的相變機(jī)制】 什么是半導(dǎo)體存儲(chǔ)器

非易失性半導(dǎo)體存儲(chǔ)器的相變機(jī)制

非易失性存儲(chǔ)器(NVM)在半導(dǎo)體市場(chǎng)占有重要的一席之地，特別是主要用于手機(jī)和其它便攜電子設(shè)備的閃存芯片。今后幾年便攜電子系統(tǒng)對(duì)非易失性存儲(chǔ)器的要求更高，數(shù)據(jù)存儲(chǔ)應(yīng)用需要寫(xiě)入速度極快的高密度存儲(chǔ)器，而代碼執(zhí)行應(yīng)用則要求存儲(chǔ)器的隨機(jī)訪存速度更快。

經(jīng)過(guò)研究人員對(duì)浮柵存儲(chǔ)技術(shù)的堅(jiān)持不懈的研究，現(xiàn)有閃存的技術(shù)能力在2010年底應(yīng)該有所提升，盡管如此，現(xiàn)在人們?cè)絹?lái)越關(guān)注有望至少在2020年末以前升級(jí)到更小技術(shù)節(jié)點(diǎn)的新式存儲(chǔ)器機(jī)制和材料。

目前存在多種不同的可以取代浮柵概念的存儲(chǔ)機(jī)制，相變存儲(chǔ)器（PCM）就是其中一個(gè)最被業(yè)界看好的非易失性存儲(chǔ)器，具有閃存無(wú)法匹敵的讀寫(xiě)性能和升級(jí)能力。

在室溫環(huán)境中，基于第六族元素的某些金屬（硫族化合物）的晶態(tài)和非晶態(tài)的穩(wěn)定性非常好。特別是GeSbTe合金最被看好，因?yàn)樗袷匾粋€(gè)偽二元構(gòu)成方式（在GeTe和 Sb2Te3之間），以下簡(jiǎn)稱(chēng)GST。

在基于硅的相變存儲(chǔ)器中，不同強(qiáng)度的電流經(jīng)過(guò)加熱器（電阻），到達(dá)硫化物材料，利用局部熱焦耳效應(yīng)，改變接觸區(qū)周?chē)目蓪?xiě)入容量（圖1）。在經(jīng)過(guò)強(qiáng)電流和快速猝滅后，材料被冷卻成非晶體狀態(tài)，導(dǎo)致電阻率增大。切換到非晶體狀態(tài)通常用時(shí)不足100ns，單元的熱時(shí)間常量通常僅為幾納秒。若恢復(fù)接觸區(qū)的晶體狀態(tài)，使材料的電阻率變小，需要施加中等強(qiáng)度的電流，脈沖時(shí)間較長(zhǎng)。存儲(chǔ)單元寫(xiě)入操作所用的不同電流產(chǎn)生了存儲(chǔ)器的直接寫(xiě)入特性。這種直接寫(xiě)入功能可簡(jiǎn)化存儲(chǔ)器的寫(xiě)入操作，提高寫(xiě)入性能。

圖1a：PCM存儲(chǔ)元件的橫截面原理圖

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圖1b：寫(xiě)入操作過(guò)程中的模擬溫度曲線圖

使用比寫(xiě)入電流低很多的且無(wú)重要的焦耳熱效應(yīng)的電流讀取存儲(chǔ)器，從而可以區(qū)別高電阻（非晶體）和低電阻（晶體）狀態(tài)。

PCM被業(yè)界看好是因?yàn)閮纱笤?。第一原因是存?chǔ)器功能性增強(qiáng)：這些改進(jìn)之處包括更短的隨機(jī)訪存時(shí)間、更快的讀寫(xiě)速度，以及直接寫(xiě)入、位粒度和高耐讀寫(xiě)能力。整合今天的閃存和快速動(dòng)態(tài)隨機(jī)訪問(wèn)存儲(chǔ)器（DRAM）的部分特性，PCM技術(shù)將存儲(chǔ)器的功能提升到一個(gè)新的水平，最終不僅可以取代閃存，還能替代DRAM的部分用處，如常用操作碼保存和高性能磁盤(pán)緩存 (

圖2) 。

圖2：存儲(chǔ)技術(shù)屬性比較

存儲(chǔ)單元小和制造工藝可以升級(jí)是讓人們看好PCM的第二大理由。相變物理性質(zhì)顯示制程有望升級(jí)到5 nm節(jié)點(diǎn)以下，有可能把閃存確立的成本降低和密度提高的速度延續(xù)到下一個(gè)十年期。

采用一項(xiàng)標(biāo)準(zhǔn)CMOS技術(shù)整合PCM概念、存儲(chǔ)單元結(jié)構(gòu)及陣列和芯片測(cè)試載具的方案已通過(guò)廣泛的評(píng)估和論證。128 Mb高密度相變存儲(chǔ)器原型經(jīng)過(guò)90 nm制程論證，測(cè)試表明性能和可靠性良好。根據(jù)目前已取得的制程整合結(jié)果和對(duì)PCM整合細(xì)節(jié)理解水平，下一個(gè)開(kāi)發(fā)階段將是采用升級(jí)技術(shù)制造千兆位（Gbit）級(jí)別河南省瑞光印務(wù)股份有限公司提供

的PCM存儲(chǔ)器。

參考文獻(xiàn)

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memory”, Device Research Conference (DRC), Santa Barbara (CA), June 20-22, 2005.

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NVM for the Next Decade?” 21st IEEE Non-Volatile Semiconductor Memory Workshop, p.12, Monterey (Ca), 2006.

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6. R.Bez, R.J.Gleixner, F.Pellizzer, A.Pirovano, G.Atwood “Phase Change

Memory Cell Concepts and Designs” in Phase Change Materials – Science and Applications edited by S.Roux and M.Wuttig, Springer Verlag, ISBN: 978-0-387-84873-0 e-ISBN: 978-0-387-84874-7, pag.355-380, 2008.

關(guān)于作者

Roberto Bez

恒憶研發(fā)中心技術(shù)開(kāi)發(fā)部研究員，負(fù)責(zé)恒憶相變存儲(chǔ)技術(shù)（PCM）的研發(fā)工作。

Roberto于1987年加入意法半導(dǎo)體。在任職于ST的20年間，他服務(wù)于多個(gè)非易失性存儲(chǔ)技術(shù)部門(mén)，重點(diǎn)研究領(lǐng)域是NOR閃存、NAND閃存及相變存儲(chǔ)（PCM）。Roberto擁有超過(guò)25項(xiàng)專(zhuān)利，所著文章曾發(fā)表在100多種刊物上。

Roberto畢業(yè)于米蘭大學(xué)（University of Milan），獲得物理學(xué)學(xué)士學(xué)位。

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