1、nor flash

nor flash發(fā)音

英：　　美：

nor flash中文意思翻譯

常見(jiàn)釋義：

非易失閃存技術(shù)（NORFlash）

nor flash雙語(yǔ)使用場(chǎng)景

1、NOR Flash improved by diversified market requirements───多元市場(chǎng)推動(dòng)NOR閃存的發(fā)展

2、E3 flasher is a special device to help you programme NAND and NOR flash data.───E3的閃光是一個(gè)特殊的裝置，以幫助您計(jì)劃NAND和NOR閃存的數(shù)據(jù)。

3、A novel positive charge pump for NOR flash memory with high driving capability, high precision and low power consumption, is proposed in this paper.───提出一種適用于NOR結(jié)構(gòu)快閃存儲(chǔ)器應(yīng)用的，具有大驅(qū)動(dòng)能力、低功耗和高精度特性的電荷泵系統(tǒng)。

4、It has faster erase and write times, higher density, and lower cost per bit than NOR flash, and ten times the endurance.───資訊科技有較快速的消除并且寫(xiě)每一點(diǎn)點(diǎn)時(shí)代，較高的密度和較低的費(fèi)用超過(guò)也不閃光，和十次忍耐。

5、JFFS is a log-structured file system that was designed for NOR flash devices.───JFFS是一種專(zhuān)門(mén)為NORflash設(shè)備設(shè)計(jì)的日志結(jié)構(gòu)文件系統(tǒng)。

6、Although JFFS was very useful in its time, its wear-leveling algorithm tended to shorten the life of NOR flash devices.───盡管JFFS在早期非常有用，但是它的平均讀寫(xiě)算法容易縮短N(yùn)OR flash設(shè)備的壽命。

7、Design and implementation of embedded file system based on NOR Flash ROM───存儲(chǔ)器的嵌入式文件系統(tǒng)的設(shè)計(jì)與實(shí)現(xiàn)

nor flash相似詞語(yǔ)短語(yǔ)

1、either nor───不是也不是

2、flash───n.（Flash）（美）弗拉什（人名）；vt.使閃光；用光發(fā)出（信號(hào)）；（快速地）出示；快速發(fā)送（信息）；n.閃光；（信號(hào)燈）閃亮；（想法的）突現(xiàn)；閃光燈；手電筒；（軍服上的）徽章；彩條；網(wǎng)站動(dòng)畫(huà)制作程序；（河流或水道的）急流；一瞬間；快訊；vi.使閃光；用光發(fā)出（信號(hào)）；飛速運(yùn)動(dòng)；突然想到；閃現(xiàn)；突然顯露（強(qiáng)烈情感）；（非正式）暴露陰部；adj.（非正式）豪華的；（非正式）愛(ài)顯擺的；閃光的，火速的

3、neither nor───既不…也不…；既不是…也不是…

4、flash mobs───快閃族；快閃暴走族

5、whether nor───無(wú)論是否

6、nor───n.(Nor)人名；(中)挪(廣東話·威妥瑪)；(馬來(lái)、俄)諾爾；(柬)諾；conj.也不；也不是；adv.也不；也沒(méi)有

7、nee nor───不，也不

8、flash on───立刻心領(lǐng)神會(huì)；頓悟；突然亮起來(lái)

9、nor eastern───也不是東方人

2、norflash和nandflash的區(qū)別？

NAND flash和NOR flash的區(qū)別

一、NAND flash和NOR flash的性能比較

flash閃存是非易失存儲(chǔ)器，可以對(duì)稱(chēng)為塊的存儲(chǔ)器單元塊進(jìn)行擦寫(xiě)和再編程。任何flash器件的寫(xiě)入操作只能在空或已擦除的單元內(nèi)進(jìn)行，所以大多數(shù)情況下，在進(jìn)行寫(xiě)入操作之前必須先執(zhí)行擦除。NAND器件執(zhí)行擦除操作是十分簡(jiǎn)單的，而NOR則要求在進(jìn)行擦除前先要將目標(biāo)塊內(nèi)所有的位都寫(xiě)為0。由于擦除NOR器件時(shí)是以64～128KB的塊進(jìn)行的，執(zhí)行一個(gè)寫(xiě)入/擦除操作的時(shí)間為5s，與此相反，擦除NAND器件是以8～32KB的塊進(jìn)行的，執(zhí)行相同的操作最多只需要4ms。執(zhí)行擦除時(shí)塊尺寸的不同進(jìn)一步拉大了NOR和NADN之間的性能差距，統(tǒng)計(jì)表明，對(duì)于給定的一套寫(xiě)入操作(尤其是更新小文件時(shí))，更多的擦除操作必須在基于NOR的單元中進(jìn)行。這樣，當(dāng)選擇存儲(chǔ)解決方案時(shí)，設(shè)計(jì)師必須權(quán)衡以下的各項(xiàng)因素。

1、NOR的讀速度比NAND稍快一些。

2、NAND的寫(xiě)入速度比NOR快很多。

3、NAND的4ms擦除速度遠(yuǎn)比NOR的5s快。

4、大多數(shù)寫(xiě)入操作需要先進(jìn)行擦除操作。

5、NAND的擦除單元更小，相應(yīng)的擦除電路更少。

二、NAND flash和NOR flash的接口差別

NOR flash帶有SRAM接口，有足夠的地址引腳來(lái)尋址，可以很容易地存取其內(nèi)部的每一個(gè)字節(jié)。

NAND器件使用復(fù)雜的I/O口來(lái)串行地存取數(shù)據(jù)，各個(gè)產(chǎn)品或廠商的方法可能各不相同。8個(gè)引腳用來(lái)傳送控制、地址和數(shù)據(jù)信息。NAND讀和寫(xiě)操作采用512字節(jié)的塊，這一點(diǎn)有點(diǎn)像硬盤(pán)管理此類(lèi)操作，很自然地，基于NAND的存儲(chǔ)器就可以取代硬盤(pán)或其他塊設(shè)備。

三、NAND flash和NOR flash的容量和成本

NAND flash的單元尺寸幾乎是NOR器件的一半，由于生產(chǎn)過(guò)程更為簡(jiǎn)單，NAND結(jié)構(gòu)可以在給定的模具尺寸內(nèi)提供更高的容量，也就相應(yīng)地降低了價(jià)格。

NOR flash占據(jù)了容量為1～16MB閃存市場(chǎng)的大部分，而NAND flash只是用在8～128MB的產(chǎn)品當(dāng)中，這也說(shuō)明NOR主要應(yīng)用在代碼存儲(chǔ)介質(zhì)中，NAND適合于數(shù)據(jù)存儲(chǔ)，NAND在CompactFlash、Secure Digital、PC Cards和MMC存儲(chǔ)卡市場(chǎng)上所占份額最大。

四、NAND flash和NOR flash的可靠性和耐用性

采用flahs介質(zhì)時(shí)一個(gè)需要重點(diǎn)考慮的問(wèn)題是可靠性。對(duì)于需要擴(kuò)展MTBF的系統(tǒng)來(lái)說(shuō)，F(xiàn)lash是非常合適的存儲(chǔ)方案?？梢詮膲勖?耐用性)、位交換和壞塊處理三個(gè)方面來(lái)比較NOR和NAND的可靠性。

五、NAND flash和NOR flash的壽命(耐用性)

在NAND閃存中每個(gè)塊的最大擦寫(xiě)次數(shù)是一百萬(wàn)次，而NOR的擦寫(xiě)次數(shù)是十萬(wàn)次。NAND存儲(chǔ)器除了具有10比1的塊擦除周期優(yōu)勢(shì)，典型的NAND塊尺寸要比NOR器件小8倍，每個(gè)NAND存儲(chǔ)器塊在給定的時(shí)間內(nèi)的刪除次數(shù)要少一些。

六、位交換

所有flash器件都受位交換現(xiàn)象的困擾。在某些情況下(很少見(jiàn)，NAND發(fā)生的次數(shù)要比NOR多)，一個(gè)比特位會(huì)發(fā)生反轉(zhuǎn)或被報(bào)告反轉(zhuǎn)了。一位的變化可能不很明顯，但是如果發(fā)生在一個(gè)關(guān)鍵文件上，這個(gè)小小的故障可能導(dǎo)致系統(tǒng)停機(jī)。如果只是報(bào)告有問(wèn)題，多讀幾次就可能解決了。當(dāng)然，如果這個(gè)位真的改變了，就必須采用錯(cuò)誤探測(cè)/錯(cuò)誤更正(EDC/ECC)算法。位反轉(zhuǎn)的問(wèn)題更多見(jiàn)于NAND閃存，NAND的供應(yīng)商建議使用NAND閃存的時(shí)候，同時(shí)使用

七、EDC/ECC算法

這個(gè)問(wèn)題對(duì)于用NAND存儲(chǔ)多媒體信息時(shí)倒不是致命的。當(dāng)然，如果用本地存儲(chǔ)設(shè)備來(lái)存儲(chǔ)操作系統(tǒng)、配置文件或其他敏感信息時(shí)，必須使用EDC/ECC系統(tǒng)以確?？煽啃浴?/p>

八、壞塊處理

NAND器件中的壞塊是隨機(jī)分布的。以前也曾有過(guò)消除壞塊的努力，但發(fā)現(xiàn)成品率太低，代價(jià)太高，根本不劃算。

NAND器件需要對(duì)介質(zhì)進(jìn)行初始化掃描以發(fā)現(xiàn)壞塊，并將壞塊標(biāo)記為不可用。在已制成的器件中，如果通過(guò)可靠的方法不能進(jìn)行這項(xiàng)處理，將導(dǎo)致高故障率。

九、易于使用

可以非常直接地使用基于NOR的閃存，可以像其他存儲(chǔ)器那樣連接，并可以在上面直接運(yùn)行代碼。

由于需要I/O接口，NAND要復(fù)雜得多。各種NAND器件的存取方法因廠家而異。在使用NAND器件時(shí)，必須先寫(xiě)入驅(qū)動(dòng)程序，才能繼續(xù)執(zhí)行其他操作。向NAND器件寫(xiě)入信息需要相當(dāng)?shù)募记?，因?yàn)樵O(shè)計(jì)師絕不能向壞塊寫(xiě)入，這就意味著在NAND器件上自始至終都必須進(jìn)行虛擬映射。

十、軟件支持

當(dāng)討論軟件支持的時(shí)候，應(yīng)該區(qū)別基本的讀/寫(xiě)/擦操作和高一級(jí)的用于磁盤(pán)仿真和閃存管理算法的軟件，包括性能優(yōu)化。

在NOR器件上運(yùn)行代碼不需要任何的軟件支持，在NAND器件上進(jìn)行同樣操作時(shí)，通常需要驅(qū)動(dòng)程序，也就是內(nèi)存技術(shù)驅(qū)動(dòng)程序(MTD)，NAND和NOR器件在進(jìn)行寫(xiě)入和擦除操作時(shí)都需要MTD。

使用NOR器件時(shí)所需要的MTD要相對(duì)少一些，許多廠商都提供用于NOR器件的更高級(jí)軟件，這其中包括M-System的TrueFFS驅(qū)動(dòng)，該驅(qū)動(dòng)被Wind River System、Microsoft、QNX Software System、Symbian和Intel等廠商所采用。

驅(qū)動(dòng)還用于對(duì)DiskOnChip產(chǎn)品進(jìn)行仿真和NAND閃存的管理，包括糾錯(cuò)、壞塊處理和損耗平衡。